Si1141/42/43
Table 2. Performance Characteristics 1 (Continued)
Parameter
I DD Standby Mode
Symbol
I sb
Condition
No ALS / PS Conversions
No I 2 C Activity
Min
Typ
1.4
Max
Unit
μA
V DD =3.3 V
I DD Actively Measuring
Peak IDD while LED1,
I active
Without LED influence, V DD = 3.3 V
V DD = 3.3 V
4.3
8
5.5
mA
mA
LED2, or LED3 is Actively
Driven
LED Driver Saturation
Vdd=1.71 to 3.6 V
mV
Voltage 2,3
PS_LEDn=0001
PS_LEDn=0010
PS_LEDn=0011
PS_LEDn=0100
PS_LEDn=0101
PS_LEDn=0110
PS_LEDn=0111
PS_LEDn=1000
PS_LEDn=1010
PS_LEDn=1010
PS_LEDn=1011
PS_LEDn=1100
PS_LEDn=1101
PS_LEDn=1110
PS_LEDn=1111
50
60
70
80
115
150
185
220
255
290
315
340
360
385
410
70
105
105
105
450
450
450
450
450
450
600
600
600
600
600
LED1, LED2, LED3
t PS
25.6
30
μs
Pulse Width
LED1, LED2, LED3, INT,
V DD = 3.3 V
–1
1
μA
SCL, SDA
Leakage Current
Notes:
1. Unless specifically stated in "Conditions", electrical data assumes ambient light levels < 1 klx.
2. Proximity-detection performance may be degraded, especially when there is high optical crosstalk, if the LED supply
and voltage drop allow the driver to saturate and current regulation is lost.
3. Guaranteed by design and characterization.
4. Represents the time during which the device is drawing a current equal to I active for power estimation purposes.
Assumes default settings.
Rev. 1.3
5
相关PDF资料
SI1143-A10-GMR SENS IR PROXIMITY AMB LT 10QFN
SI1300BDL-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3
SI1302DL-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3
SI1303DL-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
SI1305DL-T1-GE3 MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3
SI1307EDL-T1-GE3 MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3
SI1401EDH-T1-GE3 MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6
SI1426DH-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6
相关代理商/技术参数
Si1141-A10-GMR 功能描述:近程传感器 I2C Proximity Amb Light Sensor 1 LED RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020
Si1141-A11-GMR 功能描述:近程传感器 I2C Proximity Amb Light Sensor 1 LED RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020
SI1141-A11-YM0R 功能描述:Optical Sensor Ambient 450nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:环境 波长:450nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-WFQFN 供应商器件封装:10-QFN(2x2) 标准包装:1
SI1141-M01-GMR 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:IR 波长:850nm 接近探测:是 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-SMD 模块(无引线) 供应商器件封装:10-QFN(4.9x2.9) 标准包装:1
SI1142 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:PROXIMITY/AMBIENT LIGHT SENSOR IC WITH I2C INTERFACE
Si1142-A10-GM 功能描述:近程传感器 IC INTERFACE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020
Si1142-A10-GMR 功能描述:近程传感器 I2C Prox/Ambient Light Sensor 2LED Dr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020
Si1142-A11-GMR 功能描述:近程传感器 I2C Proximity Amb Light Sensor 2 LED RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感应方式:Optical 感应距离:1 mm to 200 mm 电源电压:2.5 V to 3.6 V 安装风格:SMD/SMT 输出配置:Digital 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 系列:VCNL3020